Автор | Сообщение | |||
vjatsky 15.6.2017 | ![]() MJ10200 Motorola 300А, 500вт, вроде 250в, составной npn ![]() ![]() | |||
slami 15.6.2017 ![]() | ![]()
Ошибочка, максимальный продолжительный ток 200А, 300А скорее всего импульсный ток Здесь выкладывал фото транзистора помощнее, IGBT-транзистор TOSHIBA MG400Q1US41, 400A 1200V 2400W ![]() ![]() ![]() | |||
mretro 15.6.2017 ![]() | ![]() | |||
slami 15.6.2017 ![]() | ![]() | |||
alexbe 30.9.2017 | ![]() Упомянут, что интересно, в книге 2002 года... http://padabum.com/d.php?id=37526 ![]() ![]() ![]() | |||
mretro 30.9.2017 ![]() | ![]()
Мне не попадался, но в перечне у меня есть. Причем еще и с буквами 1Т303, 1Т303А-1Т303Е. ![]() | |||
alexbe 8.10.2017 | ![]() цитата с сайта:
Это может быть "предок" 2Т808. По крайней мере в явном виде 120 и 250 Вольт: Хотя конечно ни максимальная мощность (10 Вт против 50 Вт), ни расчетное тепловое сопротивление переход-корпус (150-100)/10=5C/Вт не вяжутся. Видимо эти параметры удалось улучшить. ![]() ![]() ![]() | |||
alexbe 8.10.2017 | ![]()
Не знал, что Я - космические... Хотя в справочнике видел давно. Век живи - век учись! Посмотрел параметры, интересно, чем МП16Б для космоса не подошел? Температурный диапазон тот же... Время включения 0,2-0,4 у Я против 1 у Б? Кстати говоря, насколько он редок? Увижу - покупать? ![]() ![]() | |||
slami 8.10.2017 ![]() | ![]()
Возможно с А500 начинался 2Т808А ТУ на А500 - Ге3.365.003 ТУ на 2Т808А - Ге3.365.004
Поправлю, (150-100)/(10-5)=10 'C/W У 2Т808А 50 Вт при 50 'C, у А500 при 50 'C 15 Вт | |||
alexbe 8.10.2017 | ![]() ну я по сканированному ТУ судил. там именно 10 Вт при Ткорп=100С и Т кристалла=150С. Про цифру 5 или 15 я там не вижу. | |||
Sarenot 8.10.2017 ![]() | ![]()
Очень частый транзистор (практически по всех уголках необъятной...). Редкость как у КТ315Г . ![]() ![]() | |||
slami 8.10.2017 ![]() | ![]()
В ТУ указана не предельная температура перехода в 150 'C, а то что при увеличении температуры от 100'С до 150'C мощность снижается 10% на каждые 10'C, соответственно 150-100=50 'C, 50'C / 10'C x 10% = 50 % (50% от 10 Вт = 5 Вт). То есть при 150'C будет не 0 Вт как при максимальной температуре перехода, а 5 Вт. Соответственно максимальная температура перехода равна 200 'C (так как осталось ещё 5 Вт, то температура перехода будет на 50'C выше, 150+50=200'C). Можно ещё проще посчитать 10% это 1 Вт, соответственно тепловое сопротивление 10 'C/W. Для 50'C можно посчитать (200-50)/10=15 Вт. Кстати у 2Т808А температура перехода 150'C, соответственно при 100'C он имеет мощность 25 Вт. Видимо чтобы увеличить мощность снизили температуру перехода технологически. P.S. Многие неправильно сравнивают мощность транзисторов. Например, берут транзистор КТ808А мощностью 50 Вт и КТ819Г мощностью 60 Вт и говорят что КТ819Г мощнее. на самом деле не так. Они не учитывают при какой температуре дана мощность и какова температура перехода. Возьмем КТ808А, мощность дана при 50'C, температура перехода 150'C. Тепловое сопротивление (150'C-50'C)/50W=100/50=2'C/W, соответственно при 25'C у него максимальная мощность (150'C-25'C)/2'C/W=62,5 Вт Теперь КТ819Г, мощность дана при 25'C, температура перехода 125'C. Следовательно тепловое сопротивление (125-25)/60=1,67 'C/W, вроде бы меньше,но... при 50'C у него мощность (125-50)/1,67=45 Вт. Итог: КТ808А при 25'C - 62,5 Вт, при 50'C - 50 Вт КТ819Г при 25'C - 60 Вт, при 50'C - 45 Вт Вот поэтому я у всех транзисторов перевожу мощность для температуры 25'C (как в основном в японских даташитах, у американцев тенденция как у наших - при разных температурах). | |||
slami 8.10.2017 ![]() | ![]()
То что применялось в космосе, не значит что "Я" космическое, они также применялись и на земле. Думаю "Я" это то что они предназначены для применения в ферриттранзисторных Ячейках. ![]() ![]() ![]() ![]() | |||
alexbe 9.10.2017 | ![]() раз уж есть темы "прототипы", "фантастические" и "все о" то может быть, если возможно, постфактум раскидать дискуссии, А500 - в "прототипы" 16Я - во "все о" не всегда в правильное место сообщение пишем :( | |||
alexbe 9.10.2017 | ![]()
Формула мне и была понятна :) Разве что не ясно, если для КТ808А мощность в ТУ дана при 50'C, имеем ли мы право ее увеличить для 25С с точки зрения гарантий разработчика? Ну хорошо, а если мы используем жидко-азотное охлаждение и обеспечим температуру корпуса транзистора -150С, так можно и 150 (300/2) Вт на кристалле КТ808 рассеять , и будет исправно работать? Я считаю что есть и другие ограничения, кроме температуры кристалла. | |||
slami 9.10.2017 ![]() | ![]() (график от другого транзистора, приведен для визуализации текста) Но тут один нюанс, это максимальная рассеиваемая мощность, на которой никто транзисторы не использует и она нужна для расчета схемы на случайные перегрузки и тому подобное. К тому же есть такое понятие как "коэффициент надежности" который обычно 0,8 у кремниевых транзисторов, то есть при расчете схемы на КТ808А, например, при 25'C максимальная расчетная мощность будет составлять 50 Вт, при 50'C - 40 Вт. P.S. Лично мое ощущение по мощностям транзисторов, что разработчикам "неудобна" (на примере того же КТ808А) цифра 62,5, поэтому приводят "ближайшую круглую цифру" мощности 50 при "ближайшей круглой цифре" температуры 50. ![]() ![]() | |||
mretro 9.10.2017 ![]() | ![]()
Ну так кто мешает изначально писать в правильные темы? МП16Я1 отнюдь не относится к "фантастическим" транзистором, так почему сообщение разместили в этой теме? Возьмите, разместите сообщение в нужной теме, а здесь потрите свои сообщения. Модераторов здесь нет. | |||
IVS 27.5.2018 | ![]() Фото з интернету... ![]() ![]() | |||
slami 27.5.2018 ![]() | ![]() | |||
ГУ-50 27.5.2018 ![]() | ![]()
![]() ![]() | |||
kolbasNIC 27.5.2018 ![]() | ![]()
Это реальные транзисторы, которые выпускал завод Юпитер в г Богучар. Пластмассовые клоны железных транзисторов он начал с популярного КТ805хМ (аА0.336.341ТУ), но некоторое время делал и КТ902хМ (И93.365.009ТУ) и КТ905хМ. | |||
slami 27.5.2018 ![]() | ![]() | |||
kolbasNIC 27.5.2018 ![]() | ![]()
Не знаю. Я полупроводниками не занимаюсь. И ТУ на 905хМ не указаны. Так что это скорее всего заводская самодеятельность. Скорее всего это попытка сбыть завалявшиеся на складе кристаллы, упаковав их в модные тогда корпуса КТ-28-2. Кстати, на КТ805ИМ было специальное дополнение к ТУ (аА0.336.341ТУ/Д1). Может там написано, чем таким отличался суффикс "И". Но сомнений в том, что КТ905ИМ является продукцией Юпитера нет никаких. Дополнение. Я тут подумал, а может это заводская опечатка. Ошибка в маркере, вместо 805 написали 905. Такое встречалось в советской практике. Тогда с такой ошибочной маркировкой должна быть только одна партия, т.е. таких транзисторов немного и для коллекционеров это должно быть особо ценно. Как марка с опечаткой. | |||
IVS 28.5.2018 | ![]() "Перетёр" в Митино (или еще где) тоже крайне маловероятен… Кому-то понадобилось продавать не существующие в природе транзисторы? А хто такое фуфло купит? Это же относится и к версии о попытке завода "сбыть завалявшиеся кристаллы". Пока самая реальная версия – заводская очепятка. Впрочем, с этого я и начал… ![]() | |||
kolbasNIC 28.5.2018 ![]() | ![]()
Полагаю, это было сложно. На фото "первоисточника", как в зеркале, видно всю историю; сначала завод выпускал просто пластмассовые клоны железного КТ805х (81) с теми же суффиксами. А потом придумали суффикс "И", видимо ближе к 90 году. И, если и ошиблись в маркировке, то как раз в этот момент. Но тут же исправились и дальше стали клепать с правильной маркировкой. Для подтверждения гипотезы можно сравнить характеристики 905И и 805И на характериографе (хотя я не уверен, что этим прибором можно уловить разницу в типе транзистора), а потом вскрыть и сравнить кристаллы (что тоже бывает не помогает). Зато тогда КТ905ИМ станет раритетом с доказанной ошибкой, что неминуемо поднимет на него цену. И через 100 лет он будет стоить сумасшедшие деньги. Хорошее вложение в правнуков. | |||
hardegor 28.5.2018 | ![]()
Смотрю каталог ВЗПП 2008 года, там приведены параметры КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ИМ - ИМ отличается в два раза меньшим UКЭO. Видимо жалко стало брак выбрасывать, решили пустить в продажу. | |||
IVS 5.6.2018 | ![]() С одной стороны, удивляться-то какбэ и нечему - в первом же справочном листке на КТ818/819хМ (еще в ж. "Радио" 1977/7 с. 58, самое раннее упоминание), указаны именно такие корпуса (до этого применявшиеся только для ГТ703/705). Двумя годами позже, в ж. "Моделист Конструктор" (1979/2 с. 29), приводят все тот же корпус! Да что там какие-то журналы, если все тоже самое и у Горюнова аж в 1982 г.! Но с другой стороны – живьем я КТ818/819М в таких корпусах никогда не видел! Только это единственное пока фото и подтверждает их реальное существование в природе… ![]() ![]() | |||
Sarenot 5.6.2018 ![]() | ![]() Вот еще бы на нем дата была бы 0666 - и вообще жесть!!! | |||
IVS 4.7.2018 | ![]() Это жъъ кому и зачем такое понадобилось в 1986 году? ![]() ![]() | |||
Sarenot 5.7.2018 ![]() | ![]()
А что Вас так развеселило в данном изделии? Год выпуска? (их и в 90-х делали) | |||
IVS 5.7.2018 | ![]()
| |||
checha 5.7.2018 | ![]() Вижу проблему в том, кто и как рассказывает. А это зависит от интеллекта рассказывающего. | |||
IVS 6.7.2018 | ![]() Я просто показал фото некоего артефакта. Причем, ни к самому артефакту, ни даже к его фотографии я никакого отношения не имею. Да и хто жъ его знает, можа, у меня его и вовсе нет, того интеллехта? На всякий случай приношу всем свои искренние извинения! | |||
1А2В3В 14.12.2018 | ![]()
Не совсем так. Я когда то разбирался с КТ805 транзисторами на ВЗПП. Немного истории: КТ805А и 805Б знают все. Были ещё КТ805В, ВМ и Г, ГМ. Они практически не выпускались с отечественной маркировкой. Делали их на экспорт и маркировали как 2NXXXX. Во время смуты какое то предприятие на Украине их тоже делало в корпусе КТ28, но маркировали как КТ805В: Транзисторы КТ805Г, ГМ мне не попадались. Для видеомагнитофонов понадобился транзистор с большим коэффициентом усиления и разработали транзистор КТ805ДМ: Последний транзистор КТ805ДМ с точкой. Наверно какой то отбор? При массовом производстве телевизоров понадобился транзистор для работы на отклоняющую систему, то есть индуктивную нагрузку. Транзисторы КТ805А и 805Б не подходили, так как они были рассчитаны для работы на активную нагрузку. Вот и появился на свет КТ805ИМ. Что означает буква "И" не знаю, может от слова индуктивность, а может импульсный. Будучи на заводе я дополнение к ТУ брал, в архиве у меня должно быть. По памяти: там всего две странички и указано пяток параметров. Добавлен параметр: энергия вторичного пробоя при работе на индуктивную нагрузку. Напряжение коллектор - эмиттер измеряют как граничное, а оно как правило в 2 раза, а то и более меньше, чем коллектор - эмиттер нулевое. ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |||
1А2В3В 14.12.2018 | ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |||
1А2В3В 18.1.2019 | ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |||
Оператор 19.1.2019 | ![]() | |||
1А2В3В 19.1.2019 | ![]()
При массовом производстве начали применять локальное золочение. Современный опытный транзистор КТ704А1. Корпус КТ97А: ![]() ![]() | |||
Оператор 20.1.2019 | ![]() | |||
1А2В3В 20.1.2019 | ![]()
Фраза относится к транзистору КТ704А (с болтом). | |||
Ответить |