Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов n-p-n средней мощности

Тип	Iк max, мА	Uкэ max, В	Pк max, мВт	h21э	fгр, МГц
КТ503А	150	25	350	40…120	5
КТ503Б	150	25	350	80…240	5
КТ503В	150	40	350	40…120	5
КТ503Г	150	40	350	80…240	5
КТ503Д	150	60	350	40…120	5
КТ503Е	150	80	350	40…120	5
КТ646А	1000	50	1000	40…200	200
КТ646Б	1000	40	1000	150…200	200

Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов n-p-n большой мощности

Тип	Iк max, А	Uкэ max, В	Pк max, Вт	h21э	fгр, МГц
КТ805АМ	5	160	30	15	20
КТ805БМ	5	135	30	15	20
КТ805ВМ	5	135	30	15	20
КТ815А	1.5	25	10	40	3
КТ815Б	1.5	40	10	40	3
KT815B	1.5	60	10	40	3
КТ815Г	1.5	80	10	40	3
KT817A	3	25	25	25	3
КТ817Б	3	45	25	25	3
KT817B	3	60	25	25	3
КТ817Г	3	80	25	25	3
КТ819А	10	25	60	15	3
КТ819Б	10	40	60	20	3
KT819B	10	60	60	15	3
КТ819Г	10	80	60	12	3

Статьи ► Кремниевые транзисторы проводимости p-n-p средней и большой мощности