Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов p-n-p средней мощности низкой частоты

Тип	Iк max, мА	Uкэ max, В	Pк max, мВт	h21э	fгр, МГц
КТ502А	150	25	350	40…120	5
КТ502Б	150	25	350	80…240	5
КТ502В	150	40	350	40…120	5
КТ502Г	150	40	350	80…240	5
КТ502Д	150	60	350	40…120	5
КТ502Е	150	60	350	40…120	5

Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов p-n-p большой мощности низкой частоты

Тип	Iк max, А	Uкэ max, В	Pк max, Вт	h21э	fгр, МГц
КТ814А	1.5	25	10	40	3
КТ814Б	1.5	40	10	40	3
КТ814В	1.5	60	10	40	3
КТ814Г	1.5	80	10	30	3
КТ816А	3	25	25	25	3
КТ816Б	3	45	25	25	3
КТ816В	3	60	25	25	3
КТ816Г	3	80	25	25	3
KT818A	10	25	60	15	3
КТ818Б	10	40	60	20	3
КТ818В	10	60	60	15	3
КТ818Г	10	80	60	12	3

Статьи ► Линейные газоразрядные индикаторы ИН-9 — ИН-26