К174УН4
Uп, В |
9 ±10% |
Р вых. при Un= 9В,Rl= 4Ом, Вт: |
1 |
Полоса пропускания, Гц |
30…20000 |
J покоя.,мА |
10 |
К174УН5
Uп, В |
12 ±10% |
Р вых. при Un= 9В,Rl= 4Ом, Вт: |
2 |
Полоса пропускания, Гц |
30…20000 |
J покоя.,мА |
30 |
К174УН7
Uп, В |
15 ±10% |
Р вых. при Un= 9В,Rl= 4Ом, Вт: |
4.5 |
Полоса пропускания, Гц |
40…20000 |
J покоя.,мА |
5-20 |
К174УН8
Uп, В |
12 ±10% |
Р вых. при Un= 9В,Rl= 4Ом, Вт: |
2.5 |
Полоса пропускания, Гц |
30…20000 |
J покоя.,мА |
15 |
К174УН9
Uп, для К174УН9А, К174УН9Б, В |
18 ±10% |
Uп, для К174УН9В, В |
15 ±10% |
Р вых. при Un= 18В,Rl= 4Ом, К174УН9А, Вт: |
2.5 |
Р вых. при Un= 1В,Rl= 4Ом, К174УН9Б, Вт: |
2.5 |
Полоса пропускания, Гц |
40…20000 |
J покоя.,мА |
20-26 |
К174УН11
Uп, В |
± 5…± 17В |
Р вых. при Un= ± 17В,Rl= 4Ом, Вт: |
15 |
J покоя.,мА |
100 |
К174УН12
К174УН14
Uп, В |
12…16.5 |
Р вых. при Un= 13.5В,Rl= 4Ом, Вт: |
4.5 |
Полоса пропускания, Гц |
30…18000 |
I покоя.,мА |
10-80 |
Микросхема имеет встроенную тепловую защиту и защиту от перегрузки по току
К174УН20
Uп, В |
3…12 |
Р вых. при Uп= 12В,Rl= 4Ом, Вт: |
4х2 |
Полоса пропускания, Гц |
30…18000 |
I покоя.,мА |
20-50 |
К174УН31
Uп, В |
2.1…6.6 |
Р вых. при Un= 3…6В, мВт: |
100…440 |
J потребления.,мА |
10 |
К174УН32
Uп, В |
36…60 |
J потребления.,мА |
140 |
Статьи ►
Отечественные фототранзисторы