Портативное ретрорадио на пыльном чердачке

Отечественные интегральные микросхемы для усилителей НЧ серии К174

К174УН4

Uп, В 9 ±10%
Р вых. при Un= 9В,Rl= 4Ом, Вт: 1
Полоса пропускания, Гц 30…20000
J покоя.,мА 10

К174УН5
Uп, В 12 ±10%
Р вых. при Un= 9В,Rl= 4Ом, Вт: 2
Полоса пропускания, Гц 30…20000
J покоя.,мА 30

К174УН7

Uп, В 15 ±10%
Р вых. при Un= 9В,Rl= 4Ом, Вт: 4.5
Полоса пропускания, Гц 40…20000
J покоя.,мА 5-20

К174УН8

Uп, В 12 ±10%
Р вых. при Un= 9В,Rl= 4Ом, Вт: 2.5
Полоса пропускания, Гц 30…20000
J покоя.,мА 15

К174УН9


Uп, для К174УН9А, К174УН9Б, В 18 ±10%
Uп, для К174УН9В, В 15 ±10%
Р вых. при Un= 18В,Rl= 4Ом, К174УН9А, Вт: 2.5
Р вых. при Un= 1В,Rl= 4Ом, К174УН9Б, Вт: 2.5
Полоса пропускания, Гц 40…20000
J покоя.,мА 20-26

К174УН11
Uп, В ± 5…± 17В
Р вых. при Un= ± 17В,Rl= 4Ом, Вт: 15
J покоя.,мА 100

К174УН12

К174УН14
Uп, В 12…16.5
Р вых. при Un= 13.5В,Rl= 4Ом, Вт: 4.5
Полоса пропускания, Гц 30…18000
I покоя.,мА 10-80

Микросхема имеет встроенную тепловую защиту и защиту от перегрузки по току
К174УН20
Uп, В 3…12
Р вых. при Uп= 12В,Rl= 4Ом, Вт: 4х2
Полоса пропускания, Гц 30…18000
I покоя.,мА 20-50

К174УН31
Uп, В 2.1…6.6
Р вых. при Un= 3…6В, мВт: 100…440
J потребления.,мА 10

К174УН32
Uп, В 36…60
J потребления.,мА 140
СтатьиОтечественные фототранзисторы