26.11.2011
Полевые транзисторы на сегодня - самая быстроразвивающаяся область полупроводниковых приборов. В этом году был выпущен самый мощный Российский Р канальный транзистор со стандартным пороговым напряжением.Этикетка на транзистор
http://s008.radikal.ru/i305/1111/83/748633c26c6e.jpg http://s017.radikal.ru/i414/1111/38/3f889917bd2c.gif http://s014.radikal.ru/i326/1111/eb/e10d7b9f5b81.gif
http://s008.radikal.ru/i305/1111/83/748633c26c6et.jpg http://s017.radikal.ru/i414/1111/38/3f889917bd2ct.jpg http://s014.radikal.ru/i326/1111/eb/e10d7b9f5b81t.jpg 26.11.2011
какой красавец ! цельнотянутый ?P-канальные транзисторы более устойчивы к космическим лучам, чем N-канальные. Полетит к Марсу...
Пугает употребление сленга "звон" в описании - говорит мне о снижении общей культуры в отрасли.
А вот впервые в нашей компании пришедший на смену кремнию...
SiC ! (карбид кремния)
прошу любить и жаловать!
MOSFET 1200 Вольт 0.08 Ома
Пожалуй, это всё-таки завтрашний светлый день силовой электроники
http://radikal.ru/F/i041.radikal.ru/1111/6a/b4ca6beb7f3c.jpg.html http://i041.radikal.ru/1111/6a/b4ca6beb7f3ct.jpg 26.11.2011
а КП101 тогда как? - http://www.oldtriod.ru/expo/343 http://www.oldtriod.ru/expo/34326.11.2011
| сканер после "обновления" до старых драйверов стал лучше сканировать. |
Увы - полностью с этим согласен. Например мой Mustek BearPaw со слайд модулем - давно брошеный изготовителем в плане поддержки, - на "хрюшке" (Виндовс XP) работал четко, - а вот на новых виндах какая только чертовщина с ним не происходила.. Даже использование старых драйверов в плане совместимости - например под "семерку" - не катит..
27.11.2011
| какой красавец ! цельнотянутый ? P-канальные транзисторы более устойчивы к космическим лучам, чем N-канальные. Полетит к Марсу... Пугает употребление сленга "звон" в описании - говорит мне о снижении общей культуры в отрасли. А вот впервые в нашей компании пришедший на смену кремнию... SiC ! (карбид кремния) прошу любить и жаловать! MOSFET 1200 Вольт 0.08 Ома Пожалуй, это всё-таки завтрашний светлый день силовой электроники |
Я как-то задавал вопрос о цельнотянутости разработчикам. С их слов я понял следующее: покупаешь программу, закладываешь данные и получаешь топологию. По результатам испытаний несколько итераций подгонки и готово. Транзисторы разных производителей могут отличаться друг от друга, но использоваться как аналоги. В такой ситуации используется принцип "не хуже" по электрическим параметрам.
"Звон" возникает при работе полевого транзистора с вертикальным каналом от низкоомного драйвера. Транзистор начинает генерить на высокой частоте. Для срыва генерации надо ставить резистор в цепь затвора, или ферритовую бусинку. Это свойство есть у всех вертикальных ключевых транзисторов американских, японских, наших любых... Я думаю, что и на карбид кремния надо ставить такие же резисторы. Здесь не культура, а физика.
http://radikal.ru/F/i041.radikal.ru/1111/6a/b4ca6beb7f3c.jpg.html http://i041.radikal.ru/1111/6a/b4ca6beb7f3ct.jpg 27.11.2011
| В таких корпусах что-то сейчас выпускается? |
В новых разработках для ширпотреба этот корпус не употребляют. Там сплошная штамповка - пластик.
Для спец транзисторов корпус тоже не перспективный. Сейчас появилось до 20, а то и более видов корпусов для мощных полевых транзисторов. Все они - металлокерамические.
На сегодняшний день в таком корпусе выпускаются транзисторы разработанные до 2007 -2008 года.
27.11.2011
цельнотянутость - как метод пополнения коллекций имел ввиду."звон" - это жаргонизм.
гляньте документацию на карбидкремниевый pdf
насколько она совершеннее, плюс борьба с переколебаниями в цепи затвора описана лучше всех.
http://www.cree.com/products/pdf/CMF20120D.pdf28.11.2011
| А так жаль... Видят то, что там находится под керамикой и пластмассой ограниченное количество лиц, которым это кажется само собой разумеющимся. И здесь они почти не ходят. Или стесняются. Или некогда. |
Что касается новых металлокерамических корпусов, то вскрывать полупроводниковые приборы выполненые в этих корпусах можно будет после списания аппаратуры в которой эти п/п используются. Будет это через десять - пятнадцать лет.
Я видел фото вскрытых транзисторов в каталогах Ангстрема.
На этой неделе в Москве будет проходить выставка "Силовая электроника". По слухам Ангстрем должен выставить на общее обозрение неплохой каталог.
28.11.2011
| цельнотянутость - как метод пополнения коллекций имел ввиду. "звон" - это жаргонизм. гляньте документацию на карбидкремниевый pdf насколько она совершеннее, плюс борьба с переколебаниями в цепи затвора описана лучше всех. |
К сожалению в России деньги на новые разработки почти не выделяются. В таких условиях остаётся одно, ждать пока наработают другие. После скрупулёзного анализа разрабатываются изделия, которые точно будут востребованы.
Таким образом можно избежать огромное количество тупиковых вариантов. Ещё Окснер писал о том, что разрабатывается огромное количество транзисторов с супер параметрами, а спустя три - пять лет о них уже никто ничего не помнит.
Разрабатывать изделия имеет смысл только при последующем их массовом производстве.
Карбидокремниевый транзистор MF20120D, спору нет, имеет прекрасные параметры. Очень хороший ключевой транзистор. Правда параметры пишут наилучшие, у нас наоборот наихудшие. По поводу "звона" это термин из радиотехники и указывает на затухающие колебания в электрической цепи. Там ещё есть слово "хвост" указывающий длительность этих колебаний.
Из даташита видно - на всех принципиальных схемах в цепи затвора стоят резисторы. Без них схемы работать не будут. Введение индуктивности в цепь затвора увеличивает скоростные свойства каскада усиления или ключа и одновременно уменьшает стабильность его работы.
Даташит - это реклама и здесь должно быть всё красиво.
Механизьмы работы полевого транзистора с вертикальным каналом хорошо описаны в книге "Силовые полупроводниковые приборы" Перевод с английского под ред В В Токарева. Воронеж 1995 г. Книга написана специалистами фирмы IR. Они повествуют о технологии изготовления транзисторов и применении их в различных схемотехнических решениях.
http://www.cree.com/products/pdf/CMF20120D.pdf28.11.2011
для поддержания разговора скажу, что IRF давно не производит высоковольтные полевики, продав эту часть бизнеса VISHAY.вероятная причина - революционная инновация Infineon и ST в 90 годах прошлого века, позволяющая производить полевики с сопротивлением меньшим теоретического предела для кремния.
29.11.2011
Уважаемый НЕХ, фирма IR правильно сделала, продав высоковольтные полевики. Низковольтные полевики востребованы миллионами штук а высоковольтные кроме разорения ничего не приносят.Чтобы разработать транзистор CMF20120D нужны огромные средства и долгая кропотливая работа высококлассных специалистов. Судя по параметрам можно сказать - супертранзистор и у меня воникает большое желание заполучить его и погонять в разных режимах. Даже постоянный ток стока вроде настоящий, постоянный, не как у IR с потолка.
Такие транзисторы могут получить распрастранение в одном случае, если они будут недорогие. Область применения у них очень ограничена. На низкой частоте подпирают тиристоры, на более высоких частотах БТИЗ, КСМТ (IGBT) и своих позиций они не сдадут. На высокой частоте,более 50 - 100 кГц большую амплитуду не получишь, транзистор будет "шить" между электродами.
6.12.2011
В бывшем СССР в восьмидесятых годах были разработаны мощные СИТ транзисторы КП801А, КП801Б, КП801В, КП801Г предназначенные для применения в УНЧ.Интересно, в каких устройствах они применялись?
http://s49.radikal.ru/i123/1112/96/f06837e8302e.jpg http://i069.radikal.ru/1112/46/0dab60c34dfc.jpg http://s49.radikal.ru/i123/1112/96/f06837e8302et.jpg http://i069.radikal.ru/1112/46/0dab60c34dfct.jpg 6.12.2011
Светлая пора отечественного FETостроения, лауреат международных выставок КП901, на фото слева.КП901, КП902, КП903, КП904.
КП904, как полагаю, содержит пару кристаллов КП901...(кто распилит для правды ?)
КП903 затесался в эту компанию - он JFET, остальные отечественные MOSFET с латеральным каналом.
Неслучайно у ног КП903 находятся творения Lovoltech LD1014D и LD1010D - POWER JFET, которые ещё можно наковырять со старинных материнских плат.
Параметры этого полевика с p-n переходом таковы : 24Вольта 5миллиОм 50Ампер(ограничено корпусом)
Контора скисла, но дело её живёт - JFET с канавочным затвором производят ныне из SiC.
Например, SemiSouth SJEP120R063 - 1200 Вольт, 63 миллиОма.
Заморские аудиофилы лобают на них свои золотые УНЧ.
Злые и жадные просекли интерес к передовым технологиям и теперь подстерегает опасность
http://radikal.ru/F/s017.radikal.ru/i432/1112/fd/af9be2fc8f0a.jpg.html http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=87018 http://s017.radikal.ru/i432/1112/fd/af9be2fc8f0at.jpg 6.12.2011
| Светлая пора отечественного FETостроения, лауреат международных выставок КП901 |
Лишних нету ли случайно?
ЗЫ: что-то у меня Радикал глючит, не показывает большие фото, только превьюшки. Причем, и на работе, и дома. Там и там ХР sp2. Это только у меня?
6.12.2011
КП904 на Юноне мешком продавали 2 недели назад по 100р - взял только парочку, не торгуясь.лишние только КП902, много.
КП903 знаю где продаётся в магазине по 30 руб.
6.12.2011
| КП901 ... Лишних нету ли случайно? |
У нас они по 15р продаются...
6.12.2011
| лишние только КП902, много. |
А меня именно они в первую очередь и интересуют, ибо 2П901, 2П903 и 2П904 у меня имеются. А вот 2П/КП902 пока нет. Нужно по парочке каждого производителя и года выпуска. Что нужно на обмен?
6.12.2011
аудиофилам MOSFET не нравится, кочевряжатся. Им JFET по-нутру.Триоды, понимаешь...
УНЧ делал на IRF540 IRF9540, один ОУ, простая схема - летающий источник питания. Даже сайт есть об этой схеме. Как звучал оценить не могу, но громко !
производитель всех моих КП90х - один и тот же . 902 смогу передать при встрече.
6.12.2011
| 902 смогу передать при встрече. |
Буду в эту субботу на Юноне с 11 до 12. Можно состыковаться.
7.12.2011
Усилителями занимались многие, и я в том числе. Делал и на КП801 и на горизонтальных и вертикальных МОП транзисторах. Сделать можно на чём угодно, но нужно правильно использовать транзисторы.КП801 хороший транзистор для однотактников. Мощности на выходе небольшие 3 - 5 Вт, ну максимум до 10 Вт можно дотянуть. Зато радиаторы нужны немаленькие, режим класса "А" однако
Усилители на горизонтальных МОП структурах получаются простые, да и работают неплохо.
На вертикальных (ключевых) транзисторах тоже можно сделать хороший усилитель, но нужна весьма специфическая схемотехника.
Сейчас в России появилась много МОП транзисторов для линейных усилителей, правда для высокочастотных. Как нибудь собираюсь осилить несколько макетов УНЧ на таких изделиях.
23.12.2011
Немного отступая от основной темы, хотелось поднять вопрос о комбинированных транзисторах. В бывшем СССР, кроме германиевых (1Т, ГТ), кремниевых (2Т, 2П, КТ, КП) и арсенидогаллиевых (3П, АП) транзисторов ещё выпускались комбинированные транзисторы (КЕ, 2Е). В Электронстандартовском справочнике был приведён прибор 2Е801А. Относился он к группе транзисторных каскадов. Судя по корпусу, это разработка Пульсара. Интересно, видел ли кто-нибудь этот прибор живьём?В последствии были разработаны приборы 2Е701А-Е (А850А-Г). Эти приборы представляли комбинацию входного МОП и выходного биполярного транзисторов. Формально это эмиттерный повторитель с полевым МОП транзистором на входе.
Все следующие разработки, которым присваивались номера КЕ, 2Е, состоят из БТИЗ (биполярные транзисторы с изолированным затвором), в английской версии - IGBT.
Первые разработки БТИЗ относили к полевым транзисторам. Им присваивали номера как у полевых транзисторов, например КП730А, КП7112А, 2П818А, Б. Впоследствии спохватились, что БТИЗ - это комбинированные транзисторы и 2П818 превратились в 2Е715А,Б.
БТИЗ транзисторы в России выпускаются небольшими партиями и номенклатура их незначительна. Транзисторы эти в основном редкие, о них имеет смысл и поговорить.
ФЗМТ как раз и занимается выпуском таких транзисторов. Завод выпускает КЕ802А, КЕ802Б, КЕ802В, КЕ802Г и аналогичные БТИЗ транзисторы для спец применений.
http://s45.radikal.ru/i110/1112/c8/6ec9c2c2fa47.jpg http://s45.radikal.ru/i110/1112/c8/6ec9c2c2fa47t.jpg 23.12.2011
А еще можно вспомнить КП934 и КП931, как их тогда называли БТИЗ. Первый был в металле ТО-3, второй в пластике ТО-220. Выпускали их или в Виннице, или в Махачкале, мы использовали экземпляры из опытных партий которые предоставил заказчик, они даже не были маркированы :). Но потом появились зарубежные транзисторы и от них сразу отказались.23.12.2011
| ФЗМТ как раз и занимается выпуском таких транзисторов. |
Есть такие вещи и у Ангстрема
http://savepic.su/1076663.htm http://savepic.su/1076663m.jpg 24.12.2011
| А еще можно вспомнить КП934 и КП931, как их тогда называли БТИЗ. |
Были и такие, их называли БСИТ транзисторы, но к полевым они почти не имели отношения.
| Есть такие вещи и у Ангстрема |
Аналог КЕ707А2 - IRG4BC30S. А вот этикетку вставить не могу, радикал не работает. Оставляю на завтра.
25.12.2011
Этикетка вставилась косо, но скачать можно.
http://s48.radikal.ru/i120/1112/a4/898962bc5277.gif http://s48.radikal.ru/i120/1112/a4/898962bc5277t.jpg 25.12.2011
А вот кстати статейка по КЕ702 (и не только) нашлась http://www.electronics.ru/files/article_pdf/0/article_399_843.pdf
Были и такие, их называли БСИТ транзисторы, но к полевым они почти не имели отношения. |
Да, точно. По ним вообще странная ситуация была - никто не знал как их применять, были входные и выходные характеристики, потом нашли какую-то статью, жуткую копию по исследованиям японцами таких структур и как-то начали использовать вместо КТ841. Но точно помню, что структура выглядела как смесь полевого и биполярного транзистора, более похожа на JFET.
КЕ707 кстати есть в справочнике "Аксенов А. И.; Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы серия Ремонт, выпуск 59"
http://www.electronics.ru/files/article_pdf/0/article_399_843.pdf28.12.2011
Ещё БТИЗ КЕ716А от Ангстрема.
Этикетка на КЕ716А
http://s009.radikal.ru/i308/1112/a8/7c1e8b30d002.jpg http://i069.radikal.ru/1112/3e/b3b098cb0cd3.gif http://s009.radikal.ru/i308/1112/a8/7c1e8b30d002t.jpg http://i069.radikal.ru/1112/3e/b3b098cb0cd3t.jpg 2.1.2012
Ангстрем также выпускал партию БТИЗ КЕ718А, выполненные в корпусе КТ28 (ТО220).Этикетка на эти транзисторы
http://s017.radikal.ru/i429/1201/3e/609553cb7817.jpg http://s017.radikal.ru/i408/1201/6e/b308cc6166c8.gif http://s017.radikal.ru/i429/1201/3e/609553cb7817t.jpg http://s017.radikal.ru/i408/1201/6e/b308cc6166c8t.jpg 5.1.2012
Транзисторы КЕ718 выпускались и в корпусе КТ-43 (ТО247)и назывались КЕ718А1Этикетка на эти транзисторы
http://s017.radikal.ru/i409/1201/e1/56f33cf2a5fb.jpg http://s017.radikal.ru/i402/1201/1a/3d147691a7f2.gif http://s017.radikal.ru/i409/1201/e1/56f33cf2a5fbt.jpg http://s017.radikal.ru/i402/1201/1a/3d147691a7f2t.jpg 5.1.2012
1А2В3В, спасибо, интересные приборы!6.1.2012
Этикетка на КЕ802А - Г http://s40.radikal.ru/i088/1201/14/322391ccfb7e.jpg http://s46.radikal.ru/i112/1201/ea/668812f7546e.jpg http://s40.radikal.ru/i088/1201/14/322391ccfb7et.jpg http://s46.radikal.ru/i112/1201/ea/668812f7546et.jpg 11.1.2012
Был разработан особый класс БТИЗ транзисторов применяемых в системах зажигания для автотехники. Транзистор КЕ703А оптимизирован по параметрам для работы на индуктивную нагрузку и представляет из себя весьма неплохой ключ. http://i047.radikal.ru/1201/97/c82aa84bfbd0.jpg http://s018.radikal.ru/i522/1201/04/473d689ba840.gif http://i047.radikal.ru/1201/97/c82aa84bfbd0t.jpg http://s018.radikal.ru/i522/1201/04/473d689ba840t.jpg 15.1.2012
Если КЕ703А производят большими партиями, то КЕ717А9 более экзотический БТИЗ транзистор. Как показал опыт - прекрасный ключ на небольшие рабочие токи. http://s40.radikal.ru/i089/1201/e2/c39c52479eef.jpg http://s49.radikal.ru/i126/1201/cf/7e8b8d7d7925.gif http://s40.radikal.ru/i089/1201/e2/c39c52479eeft.jpg http://s49.radikal.ru/i126/1201/cf/7e8b8d7d7925t.jpg 23.1.2012
Принесли в ремонт частотный преобразователь, копчёный внутри...SKM195GB126DN на fotkidepo.ru:
200 Амперный модуль полумоста на IGBT.
из-за конструктивного механического просчёта привел к полной гибели аппарата.
разбор полётов
http://fotkidepo.ru/?id=photo:728528 http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=98725&st=0 http://fotkidepo.ru/photo/358797/30781Lv6MstoAez/728528.jpg 23.1.2012
| Принесли в ремонт частотный преобразователь, копчёный внутри... SKM195GB126DN на fotkidepo.ru: 200 Амперный модуль полумоста на IGBT. из-за конструктивного просчёта привел к полной гибели аппарата. |
Хорошее фото!
Я хорошо помню 60 е - 70 е года прошлого века. С деталями было трудно, в том числе и с предохранителями. В радиолюбительской литературе часто печатали таблицы, отражающие зависимость диаметра провода и постоянного тока, при котором они сгорают. Таким образом ремонтировали сгоревшие предохранители. Интересно было бы определить, при каком постоянном токе сгорят подводимые провода в модуле полумоста на IGBT?
В середине 90 х годов я был на презентациях фирмы IR. Приезжали нормальные вменяемые ребята. Технари - они во всём мире - технари, по другому и сказать то нельзя. Был задан вопрос: - откуда взялся постоянный ток стока у IRFZ44 в 63 А?
Ответ меня ошеломил:
Когда фирма разработала этот транзистор постоянный ток стока записали в 16А, больше он не тянул. А вот конкуренты на такой же транзистор написали 30А, не трудно догадаться у кого транзисторы стали брать. И началась гонка, кто больше напишет, были и 33 и 50 и 60 и 63А. Конкуренты написали 115А, и получили облом, их не стали брать. 63А это оптимальный постоянный ток стока в каторый разработчики могут поверить. Это вера, к реальности не имеющая отношения. На фирме IR люди честные, поставленные в такие условия. Вот они и пишут сноску - постоянный ток измерен при длительности 300 мкс и скважности 50 (по памяти пишу, советую уточнить). Фактически это импульсный ток, при большой длительности и небольшой скважности. Варьируя этими параметрами можно получить любой ток, и назвать его постоянным.
Импульсный ток измеряется при маленькой длительности и большой скважности. В документации на транзисторы фирмы IR приведены оба параметра из которых и можно рассчитать настоящий постоянный ток стока, который для IRFZ44 равен 16А. Этого почти никто не знает, и горят изделия, как семечки.
Интересно было бы сравнить выводы, например, с диода В200 и данного модуля.
http://fotkidepo.ru/?id=photo:728528 http://fotkidepo.ru/photo/358797/30781Lv6MstoAez/728528.jpg 24.1.2012
У IRF одно время было обострение чувства справедливости - вместо ампеража предлагалось указывать честное сопротивление открытого транзистора.Теперь в критерии оценки добавился заряд затворных ёмкостей при переключении. Например, произведение заряда на сопротивление канала.
Но пока IRF не запустит массовое производство транзисторов на нитриде галлия GaN, по этому параметру они будут сильно уступать Texas Instruments NexFET
http://www.ti.com/mosfet27.1.2012
Транзистор КП725А один из первых МОП транзисторов разработанных на заводе "Транзистор". Этих транзисторов выпущено было очень мало. Следующие разработки завода разрабатывались в основном в пластиковых корпусах. http://s44.radikal.ru/i105/1201/3c/538d30825a62.jpg http://s44.radikal.ru/i105/1201/3c/538d30825a62t.jpg 27.1.2012
Вот это действительно редкость...6.2.2012
А выпускались ли транзисторы КП921 и КП922 в других корпусах ? http://radikal.ru/F/s018.radikal.ru/i525/1202/6a/adaa789fd548.jpg.html http://s018.radikal.ru/i525/1202/6a/adaa789fd548t.jpg 6.2.2012
Транзисторы КП922А, КП922Б и 2П922А и 2П922Б широко известны и выпускаются в корпусе КТ-9.Были ещё и более экзотические безкорпусные транзисторы 2П922А-6, Б-6
Ещё выпускались 2П922А1-6 и 2П922Б1-6, отличающиеся от предыдущих формой подложки (квадрат). И конечно в виде кристаллов - модификация -5
http://www.radikal.ru http://s018.radikal.ru/i515/1202/41/c0a9da52cf16.gif http://s017.radikal.ru/i431/1202/00/9da2c6fc6820.gif http://s49.radikal.ru/i125/1202/ce/de086355033a.jpg http://s018.radikal.ru/i515/1202/41/c0a9da52cf16t.jpg http://s017.radikal.ru/i431/1202/00/9da2c6fc6820t.jpg 